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Toshiba Electronics Europe (TEE) étend sa gamme de MOSFET U-MOS IX-H haut-rendement, avec un dispositif canal-N en boîtier "DSOP Advance" à refroidissement double-face.

Le TPW1R306PL 60V présente une résistance typique à l’état passant très faible de seulement 1.0 mΩ (à VGS = 10V) . Le courant de drain et la puissance dissipée maximum sont respectivement de 260A et 170W. La dispersion thermique améliorée autorisée par le refroidissement double-face, permet de réduire le nombre de composants et de gagner de la place dans le cas d’applications haute-densité. La résistance thermique nominale (Rth (ch-c) de 0.88k/W sur le dessus du boîtier est sensiblement inférieure à celle des boîtiers concurrents.

Comme le processus U-MOS IX-H de Toshiba permet d’obtenir le meilleur compromis dans sa catégorie entre RDS(ON) et capacitance de sortie donc charge électrique en sortie - la valeur QOSS typique est de seulement 77.5 nC. Cela permet aux concepteurs d’améliorer encore les performances et le rendement, en augmentant les vitesses de commutation et en réduisant les pertes associées.

Les applications cible de ce nouveau MOSFET sont notamment les convertisseurs DC-DC, les circuits secondaires d’alimentations AC-DC et les commandes moteur d’appareils ménagers et d’outils électro-portatifs sans-fil.

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