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Toshiba Electronics Europe a présenté deux transistors MOSFET canal-N, destinés aux commutateurs de charge d’appareils mobiles, offrant la plus faible résistance à l’état passant de leur catégorie. Les SSM6K513NU et SSM6K514NU permettent d’obtenir un très haut rendement système et de réduire la consommation, tout en étant parfaitement adaptés aux toutes dernières applications portables alimentées par batterie.

L’utilisation du procédé "trench" (tranchée) Toshiba U-MOS série IX-H, garantit à ces MOSFET de très faibles résistances à l’état passant. Les valeurs RDS(ON) nominales sont ainsi de 6.5 m pour le module 30V, SSM6K513NU, et de 8.9 m pour le module 40V, SSM6K514NU. Cela permet à ces nouveaux produits de présenter une dissipation thermique à état passant réduite d’environ 40% par rapport aux produits Toshiba existants, comme le SSM6K504NU.

Les SSM6K513NU et SSM6K514NU sont bien adaptés aux applications de commutation de puissance de plus de 10W, notamment les petits appareils portables à la norme USB Type-C™ ou USB Power Delivery (PD). Ces deux MOSFET se présentent en boîtier SOT-1220 compact.

http://toshiba.semicon-storage.com/