Electronique Mag - Le journal de l'électronique.
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Transphorm est une société mondiale de semi-conducteurs qui développe les seuls FET GaN certifiés JEDEC pour les applications de conversion de puissance haute tension. La gamme de produits de la société comprend des composants discrets de 600 V et 650 V pour des niveaux de puissance pouvant atteindre 4,5 kilowatts.
« L’équipe de Transphorm propose de manière exclusive une approche verticalement intégrée pour le développement GaN », déclare Mike White, Vice-président senior des ventes et du marketing chez Transphorm. « Notre expertise s’applique à toutes les phases de production, de la technique épitaxie au support de développement d’application. Nous avons énormément investi dans le processus de bout en bout pour offrir la qualité la plus élevée et la technologie GaN la plus fiable, et pour tenir la promesse de faire de la technologie GaN la nouvelle solution pour faire face aux défis de densité de puissance ».
Transphorm associe son FET GaN haute tension à mode déplétion à un MOSFET silicium (Si) basse tension standard, pour créer un dispositif hybride appelé commutateur cascode. Ces dispositifs fonctionnent en type normalement fermé et sont compatibles avec des circuits d’attaque silicium prêts à l’emploi pour simplicité d’utilisation. La technologie GaN offre des performances plus élevées, une densité de puissance supérieure et un coût système global inférieur.
« Nous sommes ravis de collaborer avec Transphorm et de proposer des dispositifs GaN fiables et hautes performances à nos clients du monde entier », déclare David Stein, Vice-président de la division Global Semiconductor chez Digi-Key. « Leurs FET GaN entièrement conditionnés permettent aux ingénieurs et aux concepteurs qui développent des applications de commutation de puissance d’exploiter les avantages de ces produits ».
