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International Rectifier vient de lancer le double MOSFET de puissance FastIRFET™ IRFH4257D encapsulé dans un boîtier de puissance PQFN de 4x5 mm à hautes performances. Cette nouvelle option de boîtier, étend l’utilisation de cette famille de briques de base de puissance vers les montages compacts à puissance modérée dans les applications DC-DC à entrée 12 V, telles que les équipements télécoms et réseaux, les serveurs, les cartes graphiques et les ordinateurs fixes et portables y compris les ultrabooks.

L’IRFH4257D bénéficie de la dernière génération de technologie silicium et d’encapsulation propriétaire d’IR, offrant ainsi d’excellentes performances thermiques ainsi qu’une résistance à l’état passant (RDS(on)) et une charge de grille (Qg) réduites. Il délivre ainsi une densité de puissance supérieure et des pertes en découpage limitées, le tout dans un boîtier compact mesurant 4x5 mm.

Comme tous les composants FastIRFET™ d’IR, l’IRFH4257D peut fonctionner avec n’importe quel contrôleur ou pilote, et constitue donc une solution flexible tout en délivrant un courant, un rendement et une fréquence de découpage supérieurs dans les applications mono- et multiphases. Grâce à l’ajout de l’IRFH4257D, les concepteurs ont désormais le choix d’un boîtier PQFN 4x5 mm ou 5x6 mm pour répondre au mieux aux besoins de leur application.

L’IRFH4257D est compatible avec les gammes industrielles, garanti sans plomb et conforme aux standards RoHS et MSL1 (sensibilité à l’humidité de niveau 1), et utilise des matériaux respectueux de l’environnement.

Une datasheet est disponible sur le site Web d’International Rectifier.

Spécifications

Référence : IRFH4257D

Taille du boîtier PQFN : 4x5 mm

Tenue en courant : 25 A

RDSon typ. / max @ 4,5 V : T1 : 3,7 / 4,6 / T2 : 1,65 / 2,1

QG typique @ 4,5 V (nC) : 10 / 23

QGD typique @ 4,5 V (nC) : 3,4 / 7,6

http://www.irf.com