Integrated Device Technology, Inc. (IDT®) (NASDAQ : IDTI) vient de présenter un nouveau mélangeur RF (radiofréquence) faible-distorsion et basse-consommation, doté d’une technologie RF réduisant la distorsion dans les systèmes LTE et TDD, tout en limitant la consommation. Le F1178, dernier-né de la prolifique famille de produits RF d’IDT, améliore l’IP3O jusqu’à 8 dB, et réduit la consommation jusqu’à 30%, par rapport aux mélangeurs concurrents.
Membre de la famille de doubles mélangeurs “Zero-Distortion” d’IDT, l’IDT F1178 est un mélangeur RF vers IF fonctionnant à partir d’une seule alimentation 5V. Ce mélangeur est optimisé pour les récepteurs fonctionnant dans les bandes RF 3300 à 3800 MHz. Il convient idéalement aux cartes radio de stations de base, aux répéteurs, aux systèmes d’antennes distribuées, et aux équipements de transmission par faisceaux hertziens.
La très faible consommation réduit les contraintes de refroidissement sur les cartes radio, et l’IP3 très haut, est favorable aux frontaux à gain élevé. Le F1178 se stabilise très rapidement à la mise sous tension, avec une impédance LO constante, ce qui permet aux utilisateurs de couper l’alimentation entre deux slots TDD Rx, pour réduire encore la consommation.
"Ce nouveau venu très attendu au sein de notre offre de doubles mélangeurs, délivre les performances que nos clients attendent pour déployer rapidement des solutions dans la bande 3.5 GHz. Grâce à sa distorsion IM3 extrêmement faible, le F1178 est capable d’améliorer sensiblement les performances des cartes radio, " affirme Chris Stephens, Directeur Senior Marketing pour les Produits sans-fil chez IDT. "Grâce au double mélangeur F1178, les utilisateurs peuvent améliorer le rapport signal/bruit en faisant tourner leur système avec un gain RF plus élevé, tout en conservant un excellent niveau de distorsion IM3, comme ils font déjà aux fréquences inférieures avec nos mélangeurs."
Le F1178 offre :
Excellent isolement entre canaux, avec plus de 44 dB
Mode arrêt à stabilisation rapide pour les systèmes TDD
Gamme RF de 3300 à 3800 MHz, pour les bandes 42 et 43
Gain 9.0 dB
IP3O ultra-linéaire +38 dBm
Faible niveau NF (Noise Figure, ou niveau de bruit) de 9.0 dB
Impédance de sortie 200 ohms
P1dBI élevé de +10.7 dBm
Brochage compatible avec les mélangeurs IDT pour fréquences plus basses
Faible consommation de moins de 1.4W