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International Rectifier vient d’étendre sa famille de blocs de puissance avec le double MOSFET de puissance FastIRFET™ IRFHE4250D, qui réduit les pertes de puissance de plus de 5 % à 25 A par rapport aux meilleurs blocs de puissance conventionnels. Ce nouveau composant 25 V vise les applications d’abaissement synchrone DC-DC à entrée 12 V telles que les équipements télécoms et réseaux avancés, les serveurs, les cartes graphiques et les ordinateurs fixes et portables, Ultrabooks compris.

L’IRFHE4250D exploite la dernière génération silicium d’IR, et ajoute à la plateforme de blocs de puissance un boîtier PQFN 6x6 mm de faible épaisseur et à face supérieure exposée afin de permettre un montage à l’envers. Combiné à d’excellentes performances techniques et de faibles résistance à l’état passant (RDS(on)) et charge de grille (Qg), ce produit offre une densité de puissance supérieure et des pertes en commutation réduites pour limiter la taille du circuit imprimé et augmenter le rendement global du système.

A l’instar des autres blocs de puissance d’IR, l’IRFHE4250D fonctionne avec n’importe quel pilote ou contrôleur pour une conception plus flexible, tout en proposant un plus fort courant, un meilleur rendement et de large plage de fréquence dans un faible encombrement. Il étend ainsi l’offre d’IR en blocs de puissance avec ce boîtier PQFN de 6x6 mm.

L’IRFHE4250D est disponible en version industrielle et conforme à la norme de sensibilité à l’humidité niveau 2 (MSL2). Il est encapsulé en boîtier PQFN 6x6 mm à face supérieure exposée qui utilise des matériaux respectueux de l’environnement et conformes RoHS.

http://www.irf.com