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A la tête de cette famille se trouve le DirectFET® 20 V IRL6283M qui présente une résistance à l’état passant Rds(on) ultra-faible.

L’IRL6283M offre une Rds(on) typique de seulement 500 µOhms dans un boîtier fin DirectFET® Medium Can de 30 mm², ce qui réduit les pertes en conduction de manière significative. Il convient parfaitement aux applications d’ORing actif et de fusible électronique (eFuse). Ce nouveau composant peut fonctionner à partir de Bus 3,3 V, 5 V ou 12 V et offre à 20 A des pertes inférieures de 15 % aux meilleures alternatives PQFN mesurant également 30 mm², permettant ainsi aux concepteurs de réduire le nombre de composants dans les applications à courant élevé.

Comme pour le reste de la famille DirectFET®, l’IRL6283M permet un refroidissement par le dessus pour de meilleures performances électriques et thermiques, et sa construction sans fils de liaison (wire bonding) renforce la fiabilité du montage. En outre, le boîtier DirectFET® répond aux normes RoHS avec notamment une nomenclature entièrement sans plomb, et convient donc aux applications à longue durée de vie. Les boîtiers hautes performances concurrents peuvent, eux, avoir recours à des fixations au plomb couvertes par l’exemption 7(a) de la norme RoHS, exemption qui prendra fin en 2016.

La famille StrongIRFET™ d’IR comprend également des composants en boîtiers PQFN standards qui utilisent des matériaux sans plomb, conformes RoHS et respectueux de l’environnement.

Une datasheet et un modèle Spice sont disponibles sur le site Web d’International Rectifier, http://www.irf.com