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Mouser Electronics, Inc., leader dans l’introduction de nouveaux produits (NPI)™ favorisant l’innovation, annonce la publication d’un nouvel e-book, en collaboration avec Analog Devices, Inc. (ADI) et Bourns, qui explore les défis et les avantages de la technologie au nitrure de gallium (GaN) dans la poursuite de l’efficacité, de la performance et de la durabilité.

10 experts discutent de la technologie du nitrure de gallium explore comment la technologie GaN, qui permet une efficacité supérieure, des vitesses de commutation plus rapides et une densité de puissance supérieure à celle du silicium, révolutionne l’électronique de puissance. Les avantages de la technologie GaN offrent des implications de grande portée dans divers secteurs, des applications automobiles et industrielles à l’électronique grand public et aux énergies renouvelables. Le nouvel e-book fournit des informations d’experts d’ADI, de Bourns et d’autres entreprises sur les avantages du GaN, les défis auxquels les nouveaux concepteurs de GaN peuvent être confrontés et la meilleure façon de gérer la transition du silicium au GaN. L’e-book met également en évidence les produits pertinents d’ADI et de Bourns, notamment les contrôleurs et pilotes GaN, les inducteurs de puissance, et plus encore.

Les régulateurs abaisseurs synchrones LTC7890/1 d’ADI sont des régulateurs abaisseurs à commutation CC-CC de haute performance qui pilotent les étages de puissance à transistor à effet de champ (FET) GaN synchrone à canal N à partir de tensions d’entrée allant jusqu’à 100 V. Ces dispositifs simplifient la conception tout en ne nécessitant aucune diode de protection ou autre composant externe supplémentaire, par rapport à une solution silicium-oxyde-semiconducteur classique.

Le LT8418 est un pilote demi-pont au GaN de 100 V qui intègre des étages de pilote supérieur et inférieur, un contrôle logique du pilote et des protections. Le LT8418 fournit des pilotes de grille divisés pour ajuster les vitesses de balayage d’activation et de désactivation des FET GaN afin de supprimer les sonneries et d’optimiser les performances EMI.

Les fréquences de commutation élevées de la technologie au GaN nécessitent une sélection rigoureuse des composants passifs. Bourns fournit des composants magnétiques avancés optimisés pour les fréquences GaN plus élevées, y compris leurs inductances de puissance plates PQ, inductances à puce CWP3230A et les inductances TLVR TLVR1105T. Ces dispositifs présentent une faible inductance, des courants nominaux élevés et une construction blindée pour un faible rayonnement.

Le transformateur HCTSM150102HL de Bourns est doté d’une isolation renforcée, d’une distance de fuite/dégagement minimale de 15 mm et d’une tension de résistance de 7,64 kV (2 s) pour fournir un degré élevé d’isolation contre les dangers liés à la haute tension. Le transformateur est construit avec un noyau torique en ferrite pour un facteur de couplage et une efficacité élevés.

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