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Toshiba Memory Europe (TME) a annoncé aujourd’hui le lancement d’une nouvelle mémoire SCM (Storage Class Memory, ou mémoire de classe stockage) : la XL-FLASH™. Basée sur la technologie innovante de mémoire Flash 3D BiCS FLASH™ à cellules SLC (Single Level Cell, ou cellule simple niveau) à 1 bit par cellule de la société, la XL-FLASH garantit une faible latence et des performances élevées aux centres de données et au stockage d’entreprise.

Classé comme SCM (ou mémoire persistante), avec la capacité de conserver son contenu comme une mémoire Flash NAND, la XL-FLASH comble l’écart de performance existant entre DRAM et NAND. Si les mémoire volatiles comme la DRAM offrent la vitesse d’accès nécessaire aux applications les plus exigeantes, cette performance a un coût élevé. Alors que le coût par bit et l’évolutivité des DRAM se stabilisent, cette nouvelle couche SCM au sein de la hiérarchie mémoire s’attaque au problème, avec une solution mémoire Flash NAND non-volatile, haute-densité et économique. Alors que le marché des mémoires SCM est en croissance, le cabinet d’analyse IDC estime qu’il va dépasser 3 milliards de dollars en 2022.

Entre la DRAM et la Flash NAND, la XL-FLASH apporte un gain de vitesse, une latence réduite et des capacités de stockage supérieures, le tout à un coût inférieur à celui des DRAM traditionnelles. La XL-FLASH sera initialement déployée dans des disques SSD, mais pourrait tre étendue à d’autres dispositifs connectés aux canaux mémoire par l’intermédiaire du bus DRAM, comme les futurs modules mémoire NVDIMM (Non-Volatile Dual In-line Memory Module).

Principales caractéristiques

 Puce 128 Gbits (en boîtiers de 2, 4 ou 8 puces)

 Taille de page 4 Ko pour des lectures et écritures du système d’exploitation plus efficaces

 Architecture à 16 plans pour un parallélisme plus efficace

 Lecture et écriture de page rapides La XL-FLASH offre une faible latence de lecture (inférieure à 5 microsecondes), ce qui est environ 10 fois plus rapide que la Flash TLC existante[2]

En tant qu’inventeur de la Flash NAND, en tant que première entreprise à avoir lancé la mémoire Flash 3D, et en tant que leader de la migration de processus, Toshiba Memory est en position idéale pour fournir de la mémoire SCM à base SLC produite grâce à un processus de fabrication mature, une évolutivité éprouvée et une fiabilité SLC à l’épreuve du temps.

« La XL-FLASH est la NAND la plus performante du marché, grâce à l’utilisation de notre BiCS FLASH en mode SLC, » a déclaré Axel Stoermann, Vice-Président de Toshiba Memory Europe. « En ne stockant qu’un bit par cellule, nous sommes en mesure d’augmenter considérablement les performances. Et comme la XL-FLASH s’appuie sur des technologies éprouvées déjà produites en série, nos clients vont pouvoir réduire leur “time-to-market” (délai de commercialisation) en adoptant la XL-FLASH comme mémoire de classe stockage. »

Les premiers échantillons seront livrés en septembre 2019, et la production en série devrait démarrer en 2020.

http://business.toshiba-memory.com/