Ces dernières années, en raison de ses nombreux atouts dont les économies d’énergie, la technologie SiC est de plus en plus adoptée dans les applications 1200V comme les véhicules électriques et les équipements industriels. La tendance à l’augmentation de la densité de puissance s’est traduite par des tensions de systèmes plus élevées, ce qui a fait augmenter la demande de produits 1700V. Cependant, il a été difficile d’atteindre un niveau de fiabilité satisfaisant, et les IGBT sont donc généralement préférés pour les applications 1700V.
Pour y répondre, ROHM a été en mesure d’atteindre une fiabilité élevée à 1700V, tout en maintenant les performances de ses produits 1200V très appréciés, parvenant ainsi à la première commercialisation réussie de modules d’alimentation SiC de 1700V. Le BSM250D17P2E004 utilise de nouvelles méthodes d’industrialisation et des nouveaux matériaux pour prévenir les ruptures diélectriques et supprimer les dérives de courant de fuite. Il en résulte une grande fiabilité qui empêche les ruptures diélectriques même après 1000 heures d’essais de polarisation à haute température et forte hygrométrie (HV-H3TRB). Ceci assure une tension de tenue élevée de 1700V même dans des environnements de température et d’humidité extrêmes.
L’incorporation des MOSFET SiC de ROHM et des diodes Schottky SiC dans le même module et l’optimisation de la structure interne permettent de réduire la résistance à l’allumage de 10 % par rapport aux autres produits SiC de sa catégorie. Cela se traduit par des économies d’énergie améliorées dans n’importe quelle application.
1. Atteindre le plus haut niveau de fiabilité dans des environnements à haute température et hygrométrie élevée
Ce dernier module 1700V introduit une nouvelle méthode d’encapsulation et des matériaux nouveaux pour protéger la puce, ce qui nous permet d’obtenir la première commercialisation réussie d’un module SiC 1700V, en réussissant les tests de fiabilité HV-H3TRB.
Par exemple, pendant des tests à haute température et forte hygrométrie, le BSM250D17P2E004 a présenté une fiabilité supérieure avec aucune panne, même lorsque 1360V sont appliqués pendant plus de 1000 heures à une température de 85°C et une hygrométrie de 85 %, contrairement aux modules IGBT conventionnels qui tombent typiquement en panne en moins de 1000 heures en raison des ruptures diélectriques. Pour assurer le plus haut niveau de fiabilité, ROHM a testé le courant de fuite des modules à différents intervalles avec le plus haut niveau de tension de blocage de 1700V.
2. Une résistance supérieure à l’allumage contribue à de plus grandes économies d’énergie
La combinaison de diodes à barrière Schottky et des MOSFET SiC de ROHM dans le même module permet de réduire la résistance à l’allumage de 10 % en comparaison avec d’autres produits de sa classe, contribuant à des économies d’énergie améliorées.