Electronique Mag - Le journal de l'électronique.
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ON Semiconductor, à l’origine d’innovations en matière d’efficacité énergétique, a lancé de nouveaux modules de puissance offrant un excellent rendement énergétique, une haute fiabilité et de très bonnes performances, en boîtier très intégré et très compact, qui viennent renforcer la déjà solide offre de semiconducteurs de puissance de la société.
Traditionnellement, les étages de puissance d’applications comme les inverteurs photovoltaïques, les onduleurs (UPS pour Uninterruptible Power Supply en anglais) et les variateurs industriels de commande moteur (VFD pour Variable Frequency Drive en anglais), faisaient appel à des IGBT et des MOSFET discrets, à des drivers dédiés, et à d’autres composants discrets. Les nouveaux modules PIM (Power Integrated Module, ou module de puissance intégré) NXH160T120T120L2Q1SG et NXH160T120L2Q2F2F2SG d’ON Semiconductor facilitent largement le travail des concepteurs, en leur fournissant des solutions compactes et très intégrées, dans des boîtiers faciles à monter, qui font gagner de la place et qui réduisent les coûts.
Ces dispositifs, disponibles en boîtiers Q1 et Q2 pour les onduleurs de 30 KW et 50 KW, intègrent des IGBT "trench" (à tranchée profonde) et des diodes à récupération rapide, qui réduisent les pertes de conduction et de commutation, tout en permettant aux concepteurs de faire des compromis entre une tension VCE(SAT) faible et de faibles pertes EON / EOFF, afin d’optimiser au mieux la performance du circuit. Le substrat DBC (Direct Bond Copper, ou cuivre à liaisons directes) permet un fonctionnement à courant élevé avec un minimum d’effets parasites, ce qui donne la possibilité d’atteindre des vitesses de commutation élevées, associées à un isolement de 3kVeff et à une distance de fuite de 12,7 mm.
Par ailleurs, la société a annoncé le nouveau FDMF3170, un module SPS (Smart Power Stage, ou étage de puissance intelligent) multi-puces, ultra-compact et entièrement optimisé pour les convertisseurs abaisseurs DC-DC utilisés dans les serveurs, les centres de données, les accélérateurs d’intelligence artificielle et les équipements de télécommunications. Il intègre deux MOSFET de puissance ON Semiconductor hautes-performances à technologie PowerTrench®, et un driver intelligent doté d’un capteur de courant de haute précision, pour optimiser les performances du processeur.
Ces deux nouveaux modules de puissance seront présentés sur le stand d’ON Semiconductor pendant electronica, et souligneront l’importance stratégique des solutions semiconducteurs à haut rendement énergétique, pour le développement de projets de conversion d’énergie ou de commande moteur. Les démonstrations sur le stand illustreront comment les solutions ON Semiconductor ont fait de l’entreprise un leader de l’énergie industrielle, de l’énergie solaire et des drivers de moteurs, et s’appuieront sur une vitrine consacrée à la robotique et sur une installation photovoltaïque à batterie de stockage.
ON Semiconductor propose la plus large gamme de semiconducteurs de puissance en boîtiers innovants, pour soutenir l’évolution mondiale vers des projets énergétiques plus propres, ultra-fiables et économiques. Cette gamme de dispositifs fait notamment appel des matériaux WBG (Wide Band Gap, ou bande interdite large) avancés, et comprend des MOSFET, des IGBT, des modules de puissance intégrés et des modules de puissance intelligents, ainsi que des drivers 100% intégrés pour tous types de moteurs. Ensemble, ces dispositifs permettent d’obtenir les solutions de puissance à haut rendement, plus fiables, plus compactes et plus économiques, dont les applications modernes ont besoin pour faire progresser la révolution énergétique.
