Electronique Mag - Le journal de l'électronique.

Développeur et fabricant de technologies et de solutions d’éclairage à LED de premier plan, et Toshiba Corporation, un fabricant de semi-conducteurs de pointe, annoncent avoir mis au point une puce LED GaN sur silicium 8’’ d’une qualité exceptionnelle, émettant 614mW, <3.1V@350mA avec une puce de 1,1mm², quelques mois seulement après la signature de leur accord de collaboration. Bridgelux et Toshiba comptent accélérer leurs opérations de développement de puces LED qui sont de plus en plus demandées dans le monde entier pour être intégrées à des écrans LCD et des systèmes d’éclairage.

Toshiba a également réalisé un investissement en capitaux propres auprès de Bridgelux avec l’objectif de développer une technologie innovante dans l’univers de l’éclairage à semi-conducteurs (Solid State Lighting - SSL). Cet investissement permettra aux deux sociétés d’intensifier leurs opérations sur le marché SSL et de dynamiser les activités de développement de la technologie des puces LED GaN sur silicium de Bridgelux qui s’appuient sur les activités de développement avancées de Toshiba en matière de technologies de traitement et de fabrication de silicium.

« Toshiba et Bridgelux étaient déjà impliqués dans le développement de cette technologie, mais avec cet investissement en capitaux propres, les deux sociétés s’orientent vers une relation encore plus stratégique, notre objectif commun étant de diminuer le coût des solutions à semi-conducteurs pour le marché de l’éclairage général », explique Bill Watkins, Chief Executive Officer de Bridgelux.

« Nous sommes très heureux d’avoir réalisé la meilleure performance jamais atteinte avec une puce LED GaN sur silicium 8’’ grâce aux activités communes de développement avec Bridgelux. Nous comptons poursuivre et approfondir le développement afin de commercialiser cette technologie à terme », précise Makoto Hideshima, vice-président directeur Semiconductor and Storage Products Company, et vice-président du groupe Toshiba.