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IBM (NYSE : IBM), Samsung Electronics, Co., Ltd., GLOBALFOUNDRIES et STMicroelectronics (NYSE : STM) annoncent ce jour leur collaboration pour synchroniser leurs usines de fabrication de semi-conducteurs afin de produire des circuits intégrés avancés dans la technologie 28 nanomètre (nm) développée conjointement par l’IBM Technology Alliance. La synchronisation a pour but de garantir que les circuits intégrés des clients peuvent être fabriqués par plusieurs sources sur trois continents différents et sans modification de la conception. L’alliance technologique, basée sur le site IBM d’East Fishkill (état de New York), réunit GLOBALFOUNDRIES, IBM, Infineon Technologies, Renesas Electronics, Samsung Electronics, STMicroelectronics et Toshiba.

IBM, Samsung et GLOBALFOUNDRIES membres de la « Common Platform alliance » collaborent avec STMicroelectronics pour développer et standardiser une technologie de fabrication avancée en 28 nm, afin d’assurer aux fabricants de circuits électroniques et de produits une fabrication homogène partout dans le monde.

Conçue pour la prochaine génération de terminaux mobiles intelligents, la technologie de fabrication 28 nm basse consommation permet de concevoir des produits affichant des vitesses de traitement plus rapides, des dimensions réduites, une consommation en veille moins élevée et une autonomie de batterie accrue. Cette technologie 28 nm dispose de tous les atouts pour constituer la base d’une nouvelle génération de produits électroniques portables capables de gérer des applications de flux vidéo (vidéo Streaming), de données et de voix, des réseaux sociaux et du commerce mobile.

Les circuits intégrés réalisés en 28 nm utiliseront la technologie CMOS sur silicium massif et le procédé « High-k metal gate » (HKMG). Les membres de l’alliance contribuent au développement d’un standard mondial pour la technologie HKMG avec leur technologie unique « Gate First ». Cette approche est supérieure aux autres solutions HKMG existantes, à la fois en termes d’évolutivité et de fabrication, en offrant des dimensions de puces réduites et une compatibilité avec les éléments de conception et les flux de fabrication des noeuds technologiques précédents.

« IBM dispose d’une vaste expérience dans la synchronisation de plusieurs usines de fabrication où nous adaptons des spécifications de fabrication rigoureuses à des paramètres de conception critiques », déclare Gary Patton, Vice-président du centre de R&D microélectronique d’IBM. « Notre technologie avancée peut ainsi être mise en oeuvre dans différentes usines de fabrication à travers le monde et produire les mêmes résultats, si bien que les clients disposent de plusieurs fournisseurs pour leurs conceptions de produits ».

« Par le passé, Samsung a effectué un vaste travail de synchronisation de ses usines avec Chartered et IBM. Nous nous réjouissons de l’extension de cette activité avec GLOBALFOUNDRIES et STMicroelectronics pour la filière du 28 nm. Nous sommes convaincus que nos clients bénéficieront d’avantages considérables en termes de réduction des délais de production en volume et de garantie d’approvisionnement grâce à la synergie de cette collaboration », déclare Jay Min, Vice-président de l’activité Fonderie de Samsung Electronics.

« Cette annonce démontre une nouvelle fois l’importance de la collaboration pour favoriser l’innovation dans le domaine des fonderies pour des technologies avancées », déclare Suresh Venkatesan, Vice président du Développement technologique et des alliances, GLOBALFOUNDRIES. « Au côté de nos partenaires de la « Common Platform alliance », nous nous engageons à fournir à nos clients une implémentation robuste de la technologie 28 nm qui marque une avancée en termes de performances et d’efficacité énergétique. En collaborant pour aligner nos capacités de production, nous assurons à nos clients une flexibilité maximale pour leur permettre de choisir une fonderie à la pointe de technologie ».

Les membres de la « Common Platform alliance » et STMicroelectronics vont optimiser les processus et les outils sur toutes les lignes de production ou usines, de sorte que les circuits intégrés pourront être fabriqués avec les mêmes résultats fonctionnels et électriques dans chacune des entreprises.

« La collaboration entre ST et la « Common Platform alliance » perpétue notre longue tradition de partenariats avec des leaders de l’industrie pour le bénéfice de nos clients. Le développement de la technologie basse consommation 28 nm est un nouveau succès », déclare Joel Hartmann, Vice-président Groupe Technologie R&D et Directeur Général, Advanced CMOS, Derivatives et eNVM Technology, STMicroelectronics. « Nous mettons tout en oeuvre pour que nos clients puissent utiliser cette technologie dans les plus brefs délais dans leurs produits portables, grand public, périphériques informatiques et autres applications. Par ailleurs, nous allons étendre ses capacités en utilisant des technologies CMOS dérivées pour applications spécifiques ».

Les sociétés ont utilisé des circuits communs en 28 nm dans leurs usines respectives pour permettre cette synchronisation. Des détails tels que les performances des transistors sont mesurés, comparés et optimisés entre les usines de fabrication. La synchronisation sur la technologie de fabrication basse consommation en 28 nm devrait être finalisée dans la première usine fin 2010, le lancement de produits suivant peu après.

La « Common Platform alliance » collabore avec ARM et Synopsys au développement d’une plate-forme de conception de systèmes sur puce (SoC) complète en 32/28 nm basée sur la technologie HKMG. ARM a développé un portefeuille de propriété intellectuelle intégrant la technologie de fabrication de pointe HKMG dans ses coeurs de microprocesseurs avancés, ainsi que des blocs de propriété intellectuelle physiques comprenant des produits logiques, mémoire et d’interface à l’attention de leurs clients. Synopsys a développé une solution de conception optimisée en 32/28 nm, des blocs IP, des outils de conception et une méthodologie optimisée pour la technologie HKMG de l’alliance.

« Les travaux de développement en 32 nm menés parallèlement par ARM et la « Common Platform alliance » s’appuient sur nos expertises respectives dans les blocs IP pour processeurs, les blocs IP physiques et le développement technologique », déclare Simon Segars, Executive Vice president et Directeur Général de la division Physical IP d’ARM.« Cette collaboration, associée au processus de synchronisation des usines annoncé aujourd’hui, facilitera l’évolutivité de la conception et accélérera la disponibilité commerciale de terminaux mobiles de nouvelle génération qui allient des performances hors pair et une autonomie de batterie exceptionnelle moyennant un coût réduit.

« Synopsys collabore étroitement avec IBM et les partenaires de son alliance technologique dans les domaines des ports IP, de la gestion des flux et des outils de conception communs, y compris la validation du silicium en 90, 65 et 45 nm dans les usines d’IBM, Samsung, GLOBALFOUNDRIES (anciennement Chartered), et continue pour les technologies du 32/28 nm », déclare John Chilton, Senior Vice president & Strategic Development, Synopsys. « Le flux de production Galaxy™ de Lynx et la prise en charge de blocs IP d’interface DesignWare® pour le process HKMG 28 nm de la « Common Platform alliance » qui viennent s’ajouter à notre offre quadripartite de synchronisation des usines de fabrication en 28 nm, assureront à nos clients un choix exceptionnel en matière de conception, ainsi qu’une souplesse hors pair pour leur approvisionnement en circuits intégrés destinés aux produits grand public de nouvelle génération ».

http://www.st.com