Littelfuse et Monolith Semiconductor, INC., ont présenté leur nouvelle série de diodes Schottky au carbure de silicium (SiC) GEN2 1200 V ainsi que leur dernière née sur le marché des semi-conducteurs de puissance, une gamme de MOSFET SiC 1200 V.
Au cours d’interventions effectuées dans le cadre du cycle de conférences ainsi que lors des entretiens techniques sur le stand, les experts des deux entreprises ont souligné leur vision commune de « faire du SiC un élément grand public ». L’objectif étant de rendre les technologies au carbure de silicium plus facilement accessibles et disponibles pour les ingénieurs concepteurs.