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Linear Technology Corporation présente le LTC4446, un pilote de Mosfet, à fréquence élevée, forte tension d’entrée (100 V), conçu pour piloter les Mosfets de puissance canal N, haut et bas, dans un convertisseur à transfert direct d’énergie à deux transistors. Ce pilote, quand il est associé à des Mosfets de puissance et à un des contrôleurs DC/DC de Linear Technology, constitue un convertisseur direct complet à deux transistors, ou peut être configuré en commutateur DC rapide, haute tension.

Ce pilote puissant peut fournir jusqu’à 2,5 A, avec une impédance de sortie du pilote de 1,2 ohms pour le Mosfet supérieur, et peut générer 3 A avec une impédance du pilote de 0,55 ohm pour le Mosfet synchrone, ce qui le rend idéal pour la commutation de Mosfet de forte intensité et de capacité de grille élevée. Le LTC4446 peut également piloter plusieurs Mosfet en parallèle, pour des applications de plus forte intensité. La faible durée de montée de 8 ns et le temps de descente de 5 ns du Mosfet supérieur, et les temps de montée de 6 ns et de descente de 3 ns du Mosfet inférieur, sur une charge de 1000 pF, permettent de minimiser les pertes de commutation.

Le LTC4446 possède deux entrées d’alimentation indépendantes. Le niveau du signal logique, côté chaud, est décalé en interne à la tension de l’alimentation des Mosfets, qui peut fonctionner jusqu’à 110 V au-dessus de la masse. De plus, ce composant pilote les deux Mosfets, supérieur et inférieur, à partir de tensions de 7,2 V à 13,5 V. Le LTC4446EMS8 et le LTC4446IMS8 sont présentés en boîtier MSOP-8, à performances thermiques renforcées.

Résumé des caractéristiques : LTC4446

 Pilote de Mosfet canal N, côté chaud / côté froid
 Tension d’alimentation maximale de 100 V
 Idéal pour des convertisseurs à transfert direct à deux transistors
 Applications à commutateur de forte tension
 Pilote forte intensité : supportant 3 A dans les deux sens, à impédance de 0,55 ohm
 Tension de pilotage de grille : 7,2 V à 13,5 V
 Grille Mosfet supérieur : temps de montée de 8 ns, de descente de 5 ns, sur une charge de 1000 pF
 Grille Mosfet inférieur : temps de montée de 6 ns, de descente de 3 ns, sur une charge de 1000 pF
 Blocage en cas de sous tension sur la porte des transistors
 Boîtier MSOP-8, à performances thermiques renforcées.

http://www.linear.com