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Renesas Electronics, fournisseur de premier plan de solutions semi-conducteur perfectionnées, a présenté aujourd’hui sept nouveaux transistors de puissance à effet de champ et structure « métal-oxyde » (MOSFET) en boîtiers HSON destinés aux applications électroniques automobiles telles que l’injection directe ou la commande des moteurs électriques.

Les nouveaux composants, notamment les MOSFET canal N, de tension nominale 40 et 60 volts (V), et les MOSFET canal P à –30 V, peuvent être employés pour la commande des solénoïdes et la commande de moteur, ou encore comme protection contre les inversions de polarité des batteries. Les Caractéristiques principales des nouveaux produits sont (1) leur boîtier HSON environ deux fois plus petit que les TO-252, (2) leur capacité de commutation de courant jusqu’à 75 ampères (A) DC, et (3) leur température de jonction pouvant atteindre 175°C. À noter que la référence NP75N04YUG se caractérise par un courant continu de 75 A pour une résistance à l’état passant de 4,8 milli ohms (mΩ), soit la meilleure performance de sa catégorie parmi les transistors de puissance MOSFET du marché destinés au secteur automobile, dans des boîtiers équivalents.

Le nombre de modules électroniques de commande dans les véhicules augmente chaque année, d’où la nécessité de réduire leur format et leur poids tout en optimisant leurs fonctionnalités. Les nouveaux transistors de puissance MOSFET proposés par Renesas Electronics sont spécifiquement conçus pour répondre aux exigences de systèmes compacts et puissants. Le nouveau boîtier HSON 8 broches garantit un niveau de qualité adapté aux systèmes électriques automobiles, tout en atteignant le niveau de performance des MOSFET en boitier TO-252 de plus fort encombrement.

Les principales caractéristiques des nouveaux transistors de puissance MOSFET sont exposées ci-après.

(1) Boîtier compact, environ deux fois plus petit que les produits existants Le nouveau boîtier HSON 8 broches occupe une surface égale à 48% de celle du boîtier TO-252. Malgré son format compact, le transistor de puissance MOSFET NP75N04YUG possède une faible résistance thermique jonction-boîtier (Remarque 1) de 1,09 °C/W. Il peut ainsi dissiper une puissance de 138 W lorsque la température du boîtier est maintenue à 25°C.

(2) Capacité à supporter des courants élevés allant jusqu’à 75 A Les transistors de puissance MOSFET Renesas Electronics NP74N04YUG, NP75N04YUG et NP75P03YDG supportent des courants allant jusqu’à 75 A grâce à l’utilisation de fil d’aluminium pour relier la puce au boitier (technologie éprouvée pour les boîtiers MOSFET destinés à l’automobile)

(3) Température de jonction jusqu’à 175°C

Les sept nouveaux composants, membres de la famille NP des transistors de puissance MOSFET présentés par Renesas Electronics sont spécifiés pour une température de jonction pouvant atteindre 175°C et sont qualifiés selon la norme automobile AEC-Q101. Ces MOSFETs conviennent parfaitement aux environnements à haute température tels que les compartiments moteurs.

Renesas Electronics pense que ces nouveaux MOSFET permettront la réalisation de modules de commande plus compacts, permettant aux concepteurs des systèmes une meilleure utilisation de l’espace restreint qu’offrent les automobiles.

Disponibilité

Des échantillons des nouveaux transistors de puissance MOSFET Renesas Electronics sont disponibles dès à présent, la production en volume devant débuter en août 2010.

(Remarque 1) Résistance thermique jonction-boîtier

Indice de résistance qui quantifie le transfert de chaleur de la jonction (partie de la puce qui génère de la chaleur) vers le boîtier. Plus il est faible, meilleure est la performance.

http://www.renesas.eu