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Les concepteurs de DC-DC ont besoin de solutions MOSFET qui diminuent les pertes en switch et le bruit dans un boîtier compact. En s’appuyant sur son procédé technologique et son boîtier avancés comme sur son expertise, Fairchild Semiconductor (NYSE:FCS) présente le MOSFET 150V avec un faible RDS(ON) (MAX 17mOhm) et un FOM (Figure of Merit) optimisé (17m0hm * 33nC° max) pour obtenir une efficacité maximale, une basse consommation et une faible dissipation thermique dans un boîtier MLP de 5 mm x 6 mm.

Le FDMS86200 est conçu en utilisant la technologie MOSFET à portes blindées pour diminuer les parasites des switchs et abaisser l’EMI. Sans cette fonction propriétaire, un concepteur devrait choisir un MOSFET à 200 V, ce qui doublerait le RDS(ON) et diminuerait l’efficacité globale. Le FDMS86200 de Fairchild dispose également d’une diode améliorée qui accélère les performances de switch en diminuant les pertes.

Fairchild dispose de l’offre de MOSFET la plus large du marché, pour qu’un concepteur puisse choisir le bon MOSFET suivant l’application. Cette combinaison unique de fonctions, procédés et d’innovations au niveau du boîtier, sans oublier l’expertise système, permet aux fabricants électroniques d’innover encore plus.

Prix : 1,92 $ par quantité de 1000 pièces

Disponibilité : Echantillonnage

Livraison : 12-15 semaines ARO

Datasheet disponible en PDF : http://www.fairchildsemi.com/ds/FD%...

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