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Pour répondre aux projets limités par l’espace, les petits boîtiers conviennent parfaitement.

Le boîtier fin MicroFET de Fairchild Semiconductor (NYSE :FCS) aide les concepteurs à éviter d’avoir à faire des compromis au niveau de leurs projets en leur proposant un tout petit boîtier. Grâce à sa collaboration avec des ingénieurs de conception et des procurement managers, Fairchild a développé un MOSFET PowerTrench P-Channel intégré et une diode Schottky, solution mono-boîtier pour répondre aux besoins d’efficacité thermique critiques pour les applications de charge de batterie et de multiplexage de puissance.

Le FDFMA2P859T fournit une excellente dissipation de puissance et une faible perte de conduction par rapport aux MOSFET standards, tout en diminuant de 30% la taille du boîtier MicroFET par rapport au boîtier standard de 0,8 mm. Avec un boîtier de 0,55 mm, ce MOSFET convient parfaitement aux projets de taille réduite comme par exemple les tout nouveaux téléphones portables, lecteurs multimédia et appareils médicaux.

Les clients demandaient à ce que le FDFMA2P859T aient des performances thermiques exceptionnelles par rapport à sa taille et aussi pour assurer une très faible fuite de courant inversée (lr) d’un µA sur Vr=10V, pour la diode Schottky. Ces éléments sont importants pour améliorer les performances et l’efficacité des applications de charge de batterie et de multiplexage de puissance en mode linéaire.

Le FDFMA2P859T fait partie de la gamme complète de MOSFET de Fairchild conçue pour répondre aux besoins d’efficacité, d’espace et de dissipation pour répondre aux défis de conception actuels et futurs.

Prix (pour 1000 pièces)  : 0,39 $US

Disponibilité : échantillonnage

Livraison : sous 6 à 8 semaines

Datasheet en pdf : http://www.fairchildsemi.com/ds/FD/...

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