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Littelfuse, société créatrice de technologies industrielles en faveur d’un monde plus durable, plus connecté et plus sûr, est fière d’annoncer le lancement des MOSFET de puissance Ultra Junction de classe X4 IXTN400N20X4 et IXTN500N20X4.

Avec leurs résistances à l’état passant parmi les plus basses du marché, ces nouveaux dispositifs viennent enrichir l’offre actuelle de MOSFET de puissance Ultra Junction de classe X4 de 200 V. Grâce aux courants nominaux élevés de ces MOSFET, les concepteurs peuvent remplacer plusieurs dispositifs de faible intensité connectés en parallèle, ce qui simplifie le processus de conception tout en améliorant la fiabilité et la densité de puissance des applications. De plus, les bornes à montage vissé du boîtier SOT-227B permettent un montage résistant et fiable. Voir la vidéo.

Ces nouveaux MOSFET de 200 V fournissent les résistances à l’état passant les plus basses. Ainsi, ils améliorent et complètent la gamme Ultra Junction de classe X4 actuelle de Littelfuse. Comparés aux MOSFET de classe X4 les plus perfectionnés du moment, ces nouveaux MOSFET prennent en charge des courants nominaux jusqu’à 2 fois plus élevés et des valeurs RDS(on) jusqu’à 63 % plus basses.

Les nouveaux MOSFET sont parfaits pour une vaste gamme d’applications de puissance basse tension pour lesquelles la minimisation des pertes à l’état passant est essentielle, dont les suivantes :

 Systèmes de stockage d’énergie sur batterie

 Chargeurs de batteries

 Formation de batteries

 Commutateurs de charge CC/batterie

 Alimentations électriques

Ces nouveaux « Nos nouveaux dispositifs vont permettre aux concepteurs de remplacer plusieurs dispositifs de faible intensité connectés en parallèle par une solution unique », se félicite Sachin Shridhar Paradkar, Global Product Marketing Engineer chez Littelfuse. « Cette solution unique simplifie la conception des commandes de grille, améliore la fiabilité et la densité de puissance, et optimise l’utilisation de l’espace sur les cartes de circuits imprimés. »

Le MOSFET de puissance Ultra Junction de classe X4 offre les principaux avantages suivants en termes de performances :

 Faibles pertes de conduction

 Effort minime pour la connexion en parallèle

 Conception de grille simplifiée avec des pertes de commande minimes

 Conception thermique simplifiée

 Densité de puissance accrue

Pourquoi un MOSFET présentant une faible résistance à l’état passant est-il le choix qui s’impose pour les applications pour lesquelles des pertes minimales à l’état passant sont cruciales ?

Un MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor ou transistor à effet de champ semi-conducteur à oxyde métallique) affichant une faible résistance à l’état passant (RDS(on)) est le choix idéal dans les applications pour lesquelles des pertes minimales à l’état passant sont cruciales. En effet, il réduit considérablement la dissipation d’énergie pendant le fonctionnement, ce qui se traduit par des pertes de conduction inférieures, une efficacité supérieure et une génération de chaleur réduite. De fait, il est parfait pour les applications de puissance sensibles, telles que les alimentations électriques, les circuits d’attaque de moteur et les dispositifs fonctionnant sur batterie, pour lesquelles il est crucial de maintenir une efficacité élevée et une gestion thermique efficace.

Spécifications de performances

Disponibilité

Les MOSFET de puissance Ultra Junction de classe X4 sont disponibles sous forme de tubes de 10 unités chacun.

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