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Innoscience, la société fondée pour créer un écosystème énergétique mondial basé sur des solutions d’alimentation de haute performance et à faible coût au nitrure de gallium sur silicium (GaN-on-Si), a annoncé aujourd’hui une famille de quatre nouveaux systèmes intégrés. Ces dispositifs combinent l’alimentation GaN HEMT, le pilote, la détection de courant et d’autres fonctions dans un seul boîtier QFN 6x8 mm standard de l’industrie. Les dispositifs SolidGaN 700 V ISG610x couvrent la plage de 140 mÙ à 450 mÙ et permettent d’économiser de l’espace sur les circuits imprimés et le nombre de nomenclatures, tout en augmentant l’efficacité et en simplifiant la conception pour les applications telles que les chargeurs USB-PD, l’éclairage LED, les alimentations CA/CC et les PFC, les QR flyback ainsi que les convertisseurs ACF et LLC.

Les nouveaux appareils intégrés disposent d’une large plage VCC de 9 V à 80 V, ce qui est avantageux dans les applications USB-PD nécessitant une sortie jusqu’à 28 V. Les appareils concurrents qui ont une tension d’entrée limitée à 30 V nécessitent un LDO externe haute tension ou plusieurs composants discrets pour obtenir une sortie supérieure à 15 V. Les nouveaux composants SolidGaN d’Innoscience peuvent facilement couvrir les exigences de tension de sortie USB-PD sans LDO externe ou autres composants, ce qui permet d’économiser le coût de la nomenclature et de réduire la surface sur la carte.

Pour un fonctionnement à faible consommation, les circuits intégrés de la famille ISG610x disposent également d’un faible courant de repos de 115 µA, grâce à un mode veille automatique innovant qui est activé lorsque la tension du signal PWM reste faible pendant une certaine période. Pendant ce temps, la plupart des circuits internes sont éteints, ce qui réduit considérablement le gaspillage d’énergie, permettant aux appareils de répondre aux spécifications d’alimentation en veille sans charge des organismes de réglementation tels qu’ENERGYSTAR.

La détection de courant sans perte avec une précision de 7 % des nouveaux dispositifs SolidGaN offre plusieurs avantages. Premièrement, étant donné que la perte de résistance de détection de courant est éliminée, un RDS(on) plus important peut être pris en charge sans perte de performances, ce qui entraîne une réduction des coûts. Deuxièmement, le nombre de composants est réduit et l’empreinte PCB est minimisée.

Min Chen, vice-président de l’ingénierie de conception chez Innoscience, a commenté : "Le haut niveau d’intégration avec une précision de détection de courant élevée et un faible courant de repos rend la famille ISG610x adaptée à des applications simples à utiliser, à faible nombre de composants et à haut rendement."

Les appareils disposent également d’un taux de balayage d’activation du commutateur programmable pour permettre la réduction des EMI. Un régulateur de tension linéaire interne est inclus pour assurer une alimentation de pilote de 6,5 V étroitement régulée, maximisant la capacité de courant du GaN HEMT tout en garantissant la fiabilité du GaN HEMT. Enfin, un verrouillage intégré en cas de sous-tension (UVLO), une protection contre les surintensités (OCP) et une protection contre la surchauffe (OTP) sont intégrés au circuit intégré.

Une carte de démonstration, INNDAD120B1, est disponible, décrivant une alimentation flyback quasi-résonante avec une entrée 90V 264V AC et une sortie 5V/3A, 9V/3A, 12V/3A, 15V/3A, 20V/6A (crête de 120W).

Dr Denis Marcon, directeur général d’Innoscience Europe, commente : "Je suis enthousiasmé par l’introduction de ces nouveaux composants intégrés pour les applications HT, lesquels viennent compléter notre portefeuille de solutions discrètes facilement disponibles. Désormais, les ingénieurs peuvent choisir entre une solution discrète ou intégrée, celle qui correspond le mieux à leurs applications et aux besoins de leur chaîne d’approvisionnement."

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