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LT8418 est un nouveau circuit de commande GaN en demi-pont à 100 V conçu pour simplifier la mise en œuvre des transistors à effet de champ (FET) en nitrure de gallium (GaN) en conjuguant une commande de grille robuste, une commutation en fréquences élevées et une efficacité accrue au niveau système. Intégrant les étages de commande supérieur et inférieur, la commande logique du driver et les protections, ce nouveau circuit peut être configuré en plusieurs topologies : pont complet, demi-pont synchrone, abaisseur (buck), élévateur (boost) ou mixte (buck-boost). Le circuit LT8418 se caractérise par une forte capacité d’absorption/fourniture (sink/source) de courant avec une résistance d’excursion haute à 0,6 Ω et une résistance d’excursion basse à 0,2 Ω pour commander un large éventail de transistors FET en nitrure de gallium. Il intègre par ailleurs un commutateur auto-élévateur (bootstrap) intelligent pour générer une tension d’élévation équilibrée à partir de la broche VCC et avec une tension de déchet minime.

Le LT8418 divise les circuits de commande de grille pour ajuster la vitesse de balayage de mise en conduction (turn-on) et de blocage (turn-off) des transistors FET GaN en vue de supprimer l’effet d’ondulation et d’optimiser les performances d’interférence électromagnétique. Toutes les entrées et sorties du circuit de commande sont par défaut à l’état bas afin d’empêcher les transistors FET GaN de s’activer par erreur. Les entrées PWM du LT8418 (INT et INB) sont indépendantes et compatibles avec la logique TTL pour une commande de haute précision. Le LT8418 fonctionne avec un temps de propagation de seulement 10 ns et une adaptation du temps de propagation de 1,5 ns entre les voies supérieure et inférieure, ce qui convient aux convertisseurs continu-continu haute fréquence, aux circuits de commande de moteur et aux amplificateurs audio de classe D. De plus, le boîtier WLCSP sur lequel est monté le LT8418 minimise les inductances parasites, ce qui permet de l’utiliser dans les applications haute performance et à densité de puissance élevée.

Caractéristiques du produit

 Séparation des circuits de commande de grille à excursion haute (0,6 Ω) et excursion basse (0,2 Ω), pour une mise en conduction/blocage ajustable ;

 Capacité de fourniture de courant (source) de 4 A crête et d’absorption de courant (sink) de 8 A crête ;

 Temps de propagation minime : 10 ns typique ;

 Adaptation du temps de propagation : 1,5 ns typique ;

 Immunité dV/dt élevée (jusqu’à 50 V/ns) ;

 Protection contre les sous-tensions (VCC et BST) et les surtensions (VCC) ;

 Le commutateur bootstrap intelligent intégré régulera la tension de commande de grille HS pour fonctionner dans l’aire de sécurité (SOA) des transistors FET GaN.

Prix et disponibilité

https://www.analog.com/