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Nouveaux produits

Farnell élargit sa gamme de MOSFET Toshiba

Publication: Novembre 2023

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La nouvelle gamme de MOSFET de puissance à canal N est désormais disponible pour les développeurs dans diverses applications, notamment l’automobile, l’énergie verte, les commandes industrielles, les alimentations et les appareils domestiques rechargeables...
 

Farnell a annoncé avoir ajouté plus de 250 nouveaux produits Toshiba à son stock disponible, notamment une nouvelle gamme de MOSFET de puissance à canal N. Les produits nouvellement ajoutés couvriront à la fois la haute tension (environ 600 V-650 V) et la basse tension (30 V-150 V).

Ibtissame Krumm, Senior Supplier Account Manager chez Farnell, a déclaré : « Le marché mondial des semi-conducteurs de puissance connaît une expansion rapide. Bien que la demande de semi-conducteurs de puissance pour les applications automobiles fasse la une des journaux depuis un certain temps, elle occulte le fait qu’il existe de nombreuses autres applications où la demande augmente tout aussi rapidement, voire plus rapidement.

Ce qui entraîne la plupart de ces applications est le MOSFET de puissance, qui, en plus des applications automobiles les plus connues, sert dans des applications d’énergie verte pour les onduleurs solaires et les pompes à chaleur, les contrôles industriels, les alimentations électriques et les appareils électroménagers rechargeables tels que les outils de jardinage sans fil. Les performances des MOSFET de puissance sont cruciales pour les performances globales du système de tels dispositifs et, pour les ingénieurs de développement, constituentsouvent le point de départ de tout nouveau projet. »

Les clients de Farnell engagés dans le développement de nouveaux produits ont besoin d’un accès facile et rapide à ces composants essentiels pour concevoir, tester, évaluer, prototyper et lancer de nouveaux concepts. Ainsi, le partenariat de Farnell avec Toshiba, associé aux capacités de la nouvelle usine de fabrication de plaquettes de 300 millimètres de Toshiba pour semi-conducteurs de puissance, garantira que les deux sociétés seront en mesure de soutenir la croissance exponentielle de la demande continue de MOSFET de haute qualité ainsi que de nombreux autres produits de semi-conducteurs.

Parmi les nouveaux MOSFET désormais disponibles auprès de Farnell, on trouve :

- MOSFET de puissance TPH3R10AQM : Basé sur le processus U-MOS-X, cet appareil offre une résistance améliorée et une zone de fonctionnement sûre. Le dispositif est parfaitement adapté aux applications difficiles telles que les alimentations à découpage dans les centres de données, les stations de base de communication ainsi que de nombreuses utilisations industrielles.

- Série DTMOSVI : Le TK055U60Z1 est le premier produit de la série DTMOSVI 600 V. Il est basé sur le processus de dernière génération de Toshiba qui présente une structure de super-jonction, largement reconnue comme étant la dernière révolution pour les MOSFET de puissance. Le nouveau MOSFET présente un RDS(on) de seulement 55 mΩ, soit une amélioration de 13 % par rapport aux dispositifs similaires de la série DTMOSIV-H de Toshiba.

- MOSFET de puissance TPH9R00CQ5 : Basé sur le processus U-MOS XH Trench, ce nouveau MOSFET de puissance est utile dans les alimentations à découpage hautes performances telles que celles utilisées dans les stations de base de communication ainsi que dans d’autres applications industrielles. Dans les solutions d’alimentation hautes performances qui utilisent un redressement synchrone, les performances de récupération inverse sont importantes. Le nouveau TPH9R00CQ5 comprend une diode corporelle haute vitesse qui réduit la charge de récupération inverse (Qrr) d’environ 74 % (à 34 nC typ.) par rapport à un appareil existant tel que le TPH9R00CQH.

- MOSFET de puissance XPQR3004PB : Ce nouveau dispositif exploite des capacités avancées de dissipation thermique pour prendre en charge des courants automobiles plus importants. Le dispositif 40 V offre des capacités de courant élevées et des valeurs de résistance à l’état passant plus faibles dans des boîtiers L-TOGLTM thermiquement améliorés.

https://www.farnell.com/

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