Ramtron International Corporation (Nasdaq : RMTR), concepteur et fournisseur leader de mémoires RAM ferroélectriques (F-RAM) nonvolatiles, et de semi-conducteurs intégrés, a annoncé que sa F-RAM 4 Mbits FM22L16 était retenue par SBS Science & Technology Co., Ltd. (SBS) pour ses disques SSD (disques durs semi-conducteurs). Basé à Shenzhen, en Chine, SBS est spécialisée dans la conception, le développement, et la fabrication de matériels et de logiciels embarqués aux normes du marché, destinés aux applications de contrôle industriel, comme le transport ferroviaire, le réseau électrique, les équipements médicaux, ou les applications de contrôle de mouvements.
En plus de conserver les données lorsque l’alimentation est coupée, les mémoires F-RAM offrent un nombre de lectures-écritures quasi-illimité, des écritures instantanées et une consommation très faible. Ces caractéristiques uniques, associées à une capacité de stockage de 4 millions de bits, font de la FM22L16 Ramtron une solution incontournable pour les produits SSD industriels de SBS.
Alex Tsui, Directeur Marketing chez Ramtron, commente :"L’arrivée des disques SSD constitue une révolution dans l’architecture des sous-systèmes de stockage. Les disques SSD à base de F-RAM évitent les problèmes rencontrés jusqu’ici avec les disques SSD, tout en éliminant les batteries de sauvegarde, en améliorant la consommation, et en réduisant le format des disques."
SBS fait appel à des FM22L16 et à une interface et un contrôleur de disque dur (HDD) standard pour stocker la carte virtuelle blocs-secteurs habituellement en mémoire Flash dans le disque SSD. La mémoire Flash s’use prématurément en raison de sa résistance limitée à l’écriture.
La carte blocs-secteurs sert à stocker les adresses fréquemment utilisées par les données du disque SSD, ce qui réduit l’usure de la mémoire Flash. Etant donné que les cartes virtuelles blocs-secteurs sont fréquemment écrites, et doivent être sauvegardées quand l’alimentation est coupée, la F-RAM constitue un choix idéal compte tenu de son endurance aux lectures-écritures, et de sa faible consommation. Les SSD à base de F-RAM sont bien adaptés aux applications industrielles, puisqu’ils ne font appel à aucune pièce mobile, ou ensemble mécanique sensible, à l’inverse des disques durs conventionnels.
M. Tsui ajoute : "Ramtron est heureux d’aider SBS Science & Technology au développement de ses disques SSD. Dans le monde du contrôle industriel, la FM22L16 Ramtron est la mémoire idéale pour les applications industrielles haute fiabilité, nécessitant une endurance élevée, un fonctionnement sans batterie, et une consommation réduite."M. Zhao Yong, Président de SBS, déclare,"La résistance élevée, les écritures rapides, et la faible consommation de la FM22L16 Ramtron en font un choix idéal pour les applications embarquées."
Caractéristiques de la FM22L16
La FM22L16 Ramtron est une mémoire non-volatile 256K x 16 qui peut être écrite ou lue comme une SRAM standard. Elle est cependant supérieure aux autres types de mémoire non-volatiles en raison de sa vitesse d’écriture élevée, de son endurance quasi-illimitée à l’écriture, et de sa capacité à conserver les données en cas de coupure d’alimentation. La FM22L16 ne nécessite pas de batterie, et ne consomme que 18 mA en mode actif ou 150 μA en mode veille. Elle assure la conservation des données pendant plus de 10 ans, tout en éliminant les soucis de fiabilité, les inconvénients fonctionnels, et les complexités de conception des SRAM sauvegardées par batterie (BBSRAM). La FM22L16 intègre un moniteur de tension qui bloque l’accès à la matrice mémoire si la tension d’alimentation (VDD) chute au-dessous d’un seuil critique. La mémoire est protégée contre les accès accidentels et la corruption de données dans ces conditions. Une protection logicielle contre l’écriture est également disponible. La mémoire est organisée en 8 blocs, qui peuvent être individuellement protégés contre l’écriture. La mise en oeuvre de la FM22L16 est identique à celle des autres RAM, ce qui lui permet de remplacer directement les SRAM standard. Les cycles de lecture ou d’écriture peuvent être déclenchés par /CE, ou simplement en changeant d’adresse.