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Fairchild Semiconductor (NYSE : FCS) apporte aux concepteurs d’alimentations électriques, aux applications d’affichage et industrielles, une nouvelle génération de MOSFET Super-Junction de 600 V. Cette génération associe un faible RDS(ON) et une charge totale de gate diminuant ainsi de 40% le FOM (Figure of Merit) par rapport aux MOSFET SuperFET de 600 V de Fairchild. Les circuits de 165 milliohm maximum (FCP22N60N, FCPF22N60NT et FCA22N60N) et les circuits de 199 milliohm maximum (FCP16N60N et FCPF16N60NT) offrent des caractéristiques de recouvrement inverse di/dt et dv/dt apportant ainsi une meilleure fiabilité pour les convertisseurs à résonnance, les topologies LLC et full-bridge de déphasage qui existent dans les projets SMPS (switch mode power supply).

Par rapport aux MOSFET SuperFET, ces MOSFET Super-Junction de 600 V proposent une faible charge de gate pour le même RDS(ON) offrant ainsi une excellente performance de commutation et diminuant de 20% les pertes de commutation et de conduction, pour une meilleure efficacité. Ils fournissent également de faibles capacités en sortie et en entrée pour améliorer l’efficacité dans des conditions de faible charge. Ces fonctions permettent aux alimentations de répondre au standard ENERGY STAR® 80 PLUS Gold pour les PC de bureau et les serveurs de classe platinum.

Ces circuits font partie de la gamme complète de MOSFET de Fairchild qui apporte un choix de breakdown voltages (-500V à 1000V), un boîtier innovant et un FOM de premier plan pour gérer efficacement la consommation d’énergie au moment où une conversion d’alimentation électrique est nécessaire.

Prix pour 1000 pièces :

 FCP22N60N US$1,60
 FCPF22N60NT US$1,60
 FCA22N60N US$1,80
 FCP16N60NT US$1,50
 FCPF16N60NT US$1,50

Disponibilité : en cours d’échantillonnage

Délais : 9-11 semaines ARO

Pour plus d’informations sur ces produits :

http://www.fairchildsemi.com/cf/sal...