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Toshiba Electronics Europe vient d’annoncer une gamme de réseaux de transistors de sortie de nouvelle génération, dotés de sorties puits-de-courant type FET DMOS. Les TBD62183AFNG et TBD62183AFWG sont parfaits pour la translation de niveau ou pour piloter directement des photocoupleurs, des LED, ou des relais nécessitant des signaux d’entrée haute-tension.

Les TBD62183AFNG et TBD62183AFWG offrent une capacité de pilotage haute-tension, avec une tension d’entrée nominale de 30V et une tension nominale de sortie 50V. Huit sorties de type puits-de-courant sont présentes sur le petit boîtier CMS (Composant Monté en Surface), et permettent de commander plusieurs circuits avec un nombre de composants réduit.

En outre, la sérieTBD62083A offre un courant IOUT maximum de 500 mA/canal, tandis que les TBD2183A sont conçus pour les applications basse-puissance avec un IOUT maximum de 50 mA/canal.

Grâce à leurs sorties type FET DMOS, ces deux nouveaux réseaux de transistors évitent le recours à un courant de base pour la broche d’entrée. Ces dispositifs fonctionnent avec un faible courant d’entrée de 0.1 mA maximum pour une tension VIN = 3V, tout en présentant une très faible consommation. Ils présentent également des caractéristiques au niveau VCE(sat) semblables à celles d’un transistor bipolaire Darlington, ce qui en fait de bons candidats pour remplacer les transistors bipolaires en ligne de la série TD62083A de Toshiba.

Le TBD62183AFNG est conditionné en boîtier SSOP18, tandis que le TBD62183AFWG se présente en boîtier SOL18. Les applications cible sont notamment les produits blancs comme les réfrigérateurs ou les cafetières, les chargeurs de batterie, les systèmes de vidéo-surveillance, les affichages à LED ou encore certains équipements industriels comme des postes de soudure.

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