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Toshiba Electronics Europe vient d’annoncer deux nouveaux MOSFET canal-N compacts pour la commutation de charge, destinés aux applications automobiles. Le SSM3K341R 60V et le SSM3K361R 100V présentent la plus faible résistance à l’état passant dans leur catégorie, et sont qualifiés selon la norme AEC-Q101. Ils sont donc parfaits pour la gestion d’énergie, notamment les convertisseurs DC-DC (continu-continu), ou la commutation de charge, qui sont des applications de plus en plus importantes pour les systèmes électroniques toujours plus nombreux dans les véhicules.

La demande croissante du marché en faveur de LED frugales en énergie, entraine elle-même une forte croissance des besoins en transistors MOSFET canal-N, qui servent de commutateurs dans les drivers de LED. Les MOSFET Toshiba SSM3K341R et SSM3K361R en petits boîtiers, répondent à cette demande avec des valeurs typiques de RDS(ON) de 36 m¦¸ et 65 m¦¸ respectivement (VGS = 4.5V), qui sont les meilleures dans la catégorie. En outre, ces deux dispositifs supportent une température maximum de canal de 175¡ãC, ce qui permet une utilisation très large dans toute une gamme d’applications automobiles.

Ces deux nouveaux dispositifs réduisent la dissipation thermique résultant des pertes à l’allumage d’environ 65% par rapport aux précédents produits Toshiba[2]. En outre, ces transistors MOSFET sont conditionnés en boîtiers SOT-23F à sorties à plat. Ces boîtiers réduisent l’empreinte sur carte d’environ 64% par rapport à un boîtier SOT-89 conventionnel, tout en conservant un niveau de dispersion maximal de 2.4W.

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