Electronique Mag - Le journal de l'électronique.
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Toshiba Electronics Europe s’apprête à annoncer le développement de sa nouvelle génération de technologie semiconducteurs superjonction (SJ) "Deep Trench" (tranchées profondes) pour MOSFET de puissance à haut rendement. Les dispositifs basés sur le nouveau processus DTMOS V présentent un niveau de bruit EMI (Electro Magnetic Interference, ou parasite électromagnétique) inférieur, et une résistance à l’état passant (RDS(ON)) réduite par rapport aux précédents MOSFET DTMOS IV.
Comme avec la précédente technologie DTMOS IV, le processus DTMOS V est basé sur une simple épitaxie impliquant une gravure "Deep Trench" profonde, suivie d’une croissance épitaxiale type P. Le processus "Deep Trench" se traduit par un rétrécissement du pas des cellules et une réduction de RDS(ON) par rapport aux procédés plans conventionnels. Le pocessus "Deep Trench" Toshiba permet un meilleur coefficient thermique de RDS(ON) comparé aux MOSFET superjonction conventionnels, qui font appel à plusieurs étapes de croissance épitaxiale.
Avec DTMOS V, Toshiba a pu réduire la valeur RDS(ON) du DPAK TK290P60Y de jusqu’à 17% par rapport à la valeur la plus basse obtenue avec le MOSFET DTMOS IV, TK12P60W. La société a également optimisé le compromis entre performance de commutation et bruit EMI (Electro Magnetic Interference, ou parasite électromagnétique).
Les transistors MOSFET DTMOS V vont simplifier la conception et améliorer le rendement des applications de conversion d’énergie, notamment des alimentations à découpage, des circuits PFC (Phase Factor Compensation, ou correction de facteur de phase), des éclairages à LED, et autres applications AC/DC. Les premiers MOSFET basés sur ce processus de 5ème génération offriront des tensions nominales de 600V ou 650V, et se présenteront en boîtier DPAK (TO-252) ou TO-220SIS (isolement intelligent). Les valeurs nominales de résistance à l’état passant vont de 0.29Ω à 0.56Ω. Merci de prendre contact avec Toshiba pour des échantillons.
