Electronique Mag - Le journal de l'électronique.
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Toshiba Electronics Europe GmbH (« Toshiba ») ajoute deux nouveaux produits MOSFET de puissance à canal N de 150 V basés sur leur procédé de tranchée U-MOS X-H de dernière génération. Les composants TPH1100CQ5 et TPH1400CQ5 sont spécialement conçus pour être utilisés dans les alimentations à découpage à hautes performances, telles que celles utilisées dans les centres de données et les stations de base de communication ainsi que dans d’autres applications industrielles.
Avec une tension drain-source maximale (VDSS) de 150 V et un courant de drain (ID) supportant 49 A (TPH1100CQ5) et 32 A (TPH1400CQ5), les nouveaux composants disposent d’une résistance drain-source maximale (RDS (ON)) de 11 mÙ. et 14 mÙ, respectivement.
Les nouveaux produits offrent des caractéristiques améliorées de récupération inverse qui sont essentielles dans les applications de redressement synchrone. Dans le cas du TPH1400CQ5, la charge de récupération inversée (Qrr) est réduite d’environ 73 % à 27 nC (typ.) et le temps de récupération inverse (trr) de 36 ns (typ.) est environ 45 % plus rapide que le TPH1400CQH existant de Toshiba, qui présente la même tension et le même RDS(ON). Utilisé dans les applications de redressement synchrone, le TPH1400CQ5 réduit la perte de puissance des alimentations à découpage et contribue à améliorer l’efficacité. Si ce composant est utilisé dans un circuit qui ne fonctionne pas en mode récupération inverse, la perte de puissance est équivalente à celle du TPH1400CQH.
Lorsqu’ils sont utilisés dans un circuit fonctionnant en mode de récupération inverse, les nouveaux produits réduisent les pics de tension générés lors de la commutation, contribuant ainsi à améliorer les caractéristiques EMI des conceptions et à réduire le besoin de filtrage externe. Les composants sont logés dans un boîtier SOP Advance(N) polyvalent à montage en surface mesurant seulement 4,9 mm x 6,1 mm x 1,0 mm.
Pour aider les concepteurs, Toshiba a développé un modèle G0 SPICE pour une vérification rapide du fonctionnement du circuit ainsi que des modèles G2 SPICE très précis, pour une reproduction précise des caractéristiques transitoires.
Les livraisons des nouveaux dispositifs commencent aujourd’hui et Toshiba continuera d’élargir sa gamme de MOSFET de puissance qui contribuent à améliorer l’efficacité des équipements.
