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Analog Devices, annonce ce jour sous la référence HMC1118LP3DE un nouveau commutateur rapide SPDT (Single-Pole Double-Throw) à terminaison intégrée spécifié pour la bande de fréquences comprise entre 9 kHz et 13 GHz et présentant une isolation élevée de 48 dB et de faibles pertes d’insertion (0,6 dB à 8 GHz).

Ce commutateur est la première référence du portefeuille de produits de contrôle HF et RF d’ADI à bénéficier des avantages inhérents à la technologie CMOS et à ce titre, il dispose de solides atouts par rapport aux commutateurs RF concurrents réalisés en arséniure de gallium (AsGa). Parmi ces points forts figurent un temps d’établissement 100 fois plus bref qu’avec une technologie AsGa, une protection élevée contre les décharges électrostatiques (ESD) de 2000 V au lieu de 250 V, ainsi que la possibilité d’étendre l’extrémité basse fréquence du commutateur à un niveau mille fois inférieur à l’AsGa tout en maintenant un haut niveau de linéarité.

Le commutateur HMC1118LP3DE se distingue également par une puissance RF à la pointe de l’industrie de 4 W en mode passant et de 0,5 W en mode de commutation à chaud. La tenue en puissance à chaud est plus de deux fois supérieure à celle des produits concurrents avec une bande passante RF similaire, ce qui permet aux ingénieurs d’augmenter la puissance RF autorisée dans leurs applications et systèmes sans risquer d’endommager le composant. Le commutateur HMC1118LP3DE est optimisé pour les niveaux d’isolation élevés et les caractéristiques de transfert extrêmement stables dans une large plage de fréquence opérationnelle jusqu’à 13 GHz, tout en maintenant le signal de coupure basse à seulement 9 kHz. L’association de ces caractéristiques destine tout particulièrement ce commutateur aux applications exigeantes — test et mesure, équipements de tests automatisés, électronique de défense et communications sans fil — où il représente une alternative à moindre coût aux commutateurs existants en arséniure de gallium.

Commutateur SPDT HMC1118LP3DE — Principales caractéristiques
 Adaptation 50 ohms
 Logique CMOS : 0/+3,3 V
 Faibles pertes d’insertion : 0,68 dB à 8 GHz
 Isolation élevée : 50 dB à 8 GHz
 Fréquence de coupure : seulement 9 kHz
 Temps d’établissement de 7,5 µs pour un niveau de sortie RF final de 0,05 dB
 Tenue en puissance à la pointe de l’industrie : mode passant : 35,5 dBm + commutation à chaud sur 50 ohms : 27 dBm
 Haute linéarité : Point de compression à 1 dB (P1dB) : +37 dBm typique et un point d’interception du 3ème ordre (II3P) : +61 dBm typique.
 Protection contre les décharges électrostatiques (ESD) : 2 kV modèle corps humain (HBM)

Pour afficher la page du produit, télécharger la fiche technique : http://www.analog.com/hmc1118

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