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Toshiba Electronics Europe vient de lancer un nouvel MOSFET de puissance canal-P -40V, idéal pour les applications automobiles comme la protection d’inversion de batterie, ou la commande de moteur. Le TJ200F04M3L profite d’une nouvelle conception améliorée, qui lui permet de réduire les pertes de conduction. Il sera conforme aux exigences de qualification de la norme automobile AEC-Q101.

Ce nouveau MOSFET de puissance présente la plus faible résistance à l’état passant (ON-resistance en anglais) de sa catégorie, grâce à la production de la puce au moyen du processus U-MOS VI de Toshiba, et à son montage dans un boîtier TO-220SM (W) utilisant un connecteur en cuivre. La faible résistance à l’état passant de ce nouveau MOSFET, contribue à réduire les pertes de conduction au sein des appareils électroniques.

Le TJ200F04M3L présente des valeurs nominales absolues maximum VDSS = -40V, ID = -200A et RDS(ON) maximum = 1.8 mΩ à VGS = 10V. Ce MOSFET de puissance peut fonctionner avec une température maximum de canal de 175°C.

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