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La technologie GaN sur silicium de prochaine génération rivalise avec les performances du GaN sur carbure de silicium, avec un rendement supérieur à 70 % et un gain de 19 dB, à des coûts inférieurs à ceux de la technologie LDMOS actuelle.

M/A-COM Technology Solutions Holdings Inc. (« MACOM »), un grand fournisseur de produits semi-conducteurs RF, hyperfréquences, à ondes millimétriques et photoniques analogiques de grandes performances, a annoncé aujourd’hui sa quatrième génération de la technologie de nitrure de gallium sur silicium (GaN sur Si).

Avec des performances rivalisant avec le GaN sur carbure de silicium (GaN sur SiC) haut de gamme à des coûts de production de volumes prévus inférieurs à ceux de la technologie LDMOS actuelle, le GaN de quatrième génération (Gen4 GaN) est positionné pour franchir les dernières barrières techniques et commerciales à l’adoption élargie du GaN. Les performances de Gen4 GaN seront démontrées sur le stand MACOM N° 2839 de l’IMS 2015 à Phoenix, Arizona, du 19 au 21 mai 2015.

Le rendement de pointe de Gen4 GaN est supérieur à 70 %, son gain est de 19 dB pour des signaux modulés à 2,7 GHz, ce qui est similaire aux meilleures technologies GaN sur SiC, et son rendement est supérieur de plus de 10 points de pourcentage à celui de LDMOS. Sa densité de puissance est plus de quatre fois celle de LDMOS. Il est prévu que ces performances révolutionnaires se traduisent par des dispositifs basés sur GaN dont le coût de semi-conducteur par watt est la moitié de celui des produits LDMOS comparables et dont le coût est significativement inférieur à celui des plaquettes GaN sur SiC à des niveaux de production en volumes.

Gen4 GaN étend les trajectoires d’innovation et de commercialisation des générations antérieures de GaN sur Si, qui ont fait leurs preuves dans des conditions environnementales difficiles. A ce jour, plus d’un million de dispositifs fonctionnent depuis au moins cinq ans dans des applications militaires exigeantes en Iraq et en Afghanistan.

« Gen4 va dégager le plein potentiel du GaN pour les applications commerciales grand public. Nous prévoyons que son influence va transformer le secteur RF/Hyperfréquences », a déclaré John Croteau, PDG de MACOM. « Notre portefeuille de propriété intellectuelle de GaN et nos accords de licences stratégiques constituent le socle de l’épanouissement d’une technologie durable et économique et d’un modèle de chaîne d’approvisionnement permettant de réaliser des économies d’échelle sans précédent dans la production de GaN. Ces progrès exceptionnels font de MACOM le fournisseur incontournable de semi-conducteurs composés pour les applications RF/Hyperfréquences ».

Le lancement des dispositifs MACOM basés sur Gen4 GaN en production de masse est prévu en 2016. Des échantillons sont actuellement à la disposition de clients. Pour en savoir plus, visitez http://www.macom.com/gan. Les performances de Gen4 GaN seront démontrées sur le stand MACOM N° 2839 de l’IMS 2015 à Phoenix, Arizona, du 19 au 21 mai 2015.

http://www.macom.com/