Electronique Mag - Le journal de l'électronique.

Toshiba Electronics Europe (TEE) vient d’annoncer que ses MOSFET basse tension à haut rendement, étaient désormais disponibles en boîtiers ultra-compacts DSOP Advance. Ces nouveaux boîtiers offrent un refroidissement sur deux faces, qui améliore sensiblement la dissipation thermique. Ceci va permettre aux concepteurs d’applications à très haute densité de composants, de réduire la température du circuit imprimé, et d’améliorer les performances sans pénaliser l’encombrement sur la carte.

Le boîtier DSOP Advance partage la même empreinte de 5 x 6 mm, que les dispositifs SOP Advance. Lors de tests comparatifs, les températures de fonctionnement ont pu, en utilisant un radiateur approprié, être réduites de plus de 34% pour des MOSFET 30V fonctionnant avec des courants de plus de 30A. En outre, la résistance thermique réduite du boîtier DSOP Advance permet dans certains cas de se passer de radiateur.

Toshiba va proposer des boitiers DSOP Advance sur sa famille de MOSFET existante, UMOS VIII-H, et sur sa nouvelle famille, UMOS IX-H. Ces MOSFET combinent la plus faible résistance à l’état passant (RDS(ON)) du marché, et une très faible capacitance de sortie, pour offrir des performances de commutation assurant un très haut rendement. L’option DSOP Advance sera disponible pour un certain nombre de MOSFET, avec des tensions nominales comprises entre 30V et 100V, au départ.

Les applications ciblées par ces nouveaux MOSFET DSOP Advance sont notamment les projets de commutation hautes-performances, avec une densité de puissance élevée, notamment les circuits de redressement synchrones, présents dans les alimentations de serveurs ou d’équipements de télécommunication, ainsi que l’outillage électroportatif.

http://www.toshiba-components.com