Electronique Mag - Le journal de l'électronique.

Une équipe d’experts en nitrure de gallium de GaN Systems Inc, un développeur leader de semiconducteurs de puissance au nitrure de gallium, présentera une communication majeure au 224ème Electrochemical Energy Summit de l’ECS (Electrochemical Society) à San Francisco, Californie, du 27 octobre au 1er novembre. Intitulée « Characterization and performance of D-Mode GaN HEMT transistor used in a cascode configuration » et signée par Tom MacElwee, John Roberts, Hughes Lafontaine, I. Scott, Greg Klowak et Lyubov Yushyna, cette communication aura lieu durant le symposium GaN and SiC Power Technologies.

GaN Systems a développé des transistors propriétaires de grande puissance au nitrure de gallium pour applications « propres » de conversion d’énergie, d’efficacité bien supérieure aux solutions à base de silicium. Ces dispositifs présentent de nombreux avantages pour les applications d’alimentation à découpage, d’onduleurs, de véhicules électriques et hybrides, de gestion de batterie et de correction de facteur de puissance.

La communication décrit un transistor HEMT à déplétion (D-mode) configuré en cascode, ses paramètres et son intégration en boîtier PQFN. Elle détaille les caractéristiques de la cascode à 500 V et 3,3 A et démontre ses excellentes performances de commutation, avec des vitesses de montée mesurées aussi rapides que 70 V / ns.

Le transistor HEMT D-mode au GaN développé pour ce travail a été fabriqué avec un processus GaN RF conventionnel à partir d’un substrat SI-SiC 4H de 3 pouces. Le substrat SiC apporte une excellente performance thermique et sa nature semi-isolante permet au commutateur de fonctionner sous haute tension. Pour en savoir plus sur la conférence, rendez-vous sur son site web : http://www.electrochem.org/meetings....