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STMicroelectronics et Intel Corporation ont franchi ce jour une étape industrielle majeure en livrant les échantillons de prototypes d’un futur produit utilisant une nouvelle technologie de mémoires à la pointe de l’innovation baptisée Mémoires à Changement de Phase (Phase Change Memory - PCM). Ces prototypes sont les premiers circuits intégrés fonctionnels livrés à des clients aux fins d’évaluation, rapprochant cette technologie de sa phase d’adoption.

Annoncée sous le nom de code « Alverstone », cette mémoire utilise la technologie PCM, une nouvelle technologie prometteuse qui assure des vitesses de lecture et d’écriture très élevées moyennant une puissance consommée inférieure à celle des mémoires Flash traditionnelles et autorise la modification par bit propre aux mémoires RAM. La technologie PCM fait depuis longtemps l’objet de nombreuses discussions dans le domaine de la R&D mais avec Alverstone, Intel et ST favorisent aujourd’hui cette technologie à s’imposer sur le marché.

« Il s’agit de la percée technologique la plus importante enregistrée depuis 40 ans dans le domaine des mémoires non-volatiles », déclare Ed Doller, Directeur technique (CTO) désigné de Numonyx, nom de la nouvelle société de mémoires flash en cours de création par STMicrelectronics et Intel. « De nombreuses tentatives ont essayé de développer des nouvelles technologies mémoires non volatiles, mais de tous les concepts existants, la technologie PCM représente la solution la plus exaltante. Aujourd’hui, Intel et ST mettent la technologie PCM à la disposition de leurs clients, ce qui représente une étape importante pour l’industrie et pour nos sociétés ».

Par ailleurs, les responsables de la technologie de STMicroelectronics et Intel ont présenté cette semaine les résultats de leurs recherches à l’occasion de la conférence internationale consacrée aux circuits intégrés (ISSCC), en décrivant une autre percée réalisée dans le domaine de la technologie PCM. Ensemble, les sociétés ont développé la première grande mémoire à cellule multi-niveaux (MLC) de haute densité au monde, utilisant la technologie PCM. Le passage de la technologie monobit par cellule à la technologie MLC assure une densité nettement accrue à un coût réduit par Méga-octet, ce qui fait de l’association MLC et PCM un développement particulièrement puissant.

En 2003, Intel et STMicroelectronics ont créé un programme de développement conjoint (JDP) consacré au développement de la mémoire à changement de phase. Précédemment, ce programme avait déjà présenté des réseaux mémoires de 8 Mo en technologie 180 nm à l’occasion de la conférence VLSI 2004 et dévoilé la mémoire Alverstone 128 Mbits en 90 nm lors du Symposium VLSI en 2006. La mémoire « Alverstone » et les futurs produits développés dans le cadre de ce programme de développement conjoint feront partie de Numonyx, la nouvelle société indépendante de semi-conducteurs créée dans le cadre d’un accord signé entre STMicroelectronics, Intel et Francisco Partners en mai 2007. L’axe stratégique de la nouvelle société portera sur la fourniture de mémoires non-volatiles destinées à un large éventail de produits industriels et grand public tels que les téléphones cellulaires, les lecteurs MP3, les appareils photos numériques, les ordinateurs et autres équipements de hautes technologies. Les partenaires devraient finaliser la transaction au cours du premier trimestre 2008.

En 2007, le marché comprenant les mémoires DRAM, Flash et autres mémoires telles que les EEPROM a dépassé 61 milliards de dollars selon la société de recherche Web-Feet Research, Inc. L’abaissement du coût de la technologie mémoire a traditionnellement suivi la loi de Moore où la densité double tous les 18 mois à chaque étape de réduction des géométries en lithographie. Alors que les technologies RAM et flash vont évoluer dans des limites de réductions des géométries au cours de la prochaine décennie, les coûts des PCM déclineront plus rapidement. L’apparition des PCM multiniveaux accélérera le croisement du coût par bit des technologies PCM par rapport aux technologies d’aujourd’hui. En définitive, en combinant, la modification par bit des DRAM, la non-volatilité des mémoires flash, la lecture rapide des NOR et l’écriture rapide des NAND, les PCM ont la capacité de servir le marché des mémoires dans son ensemble et être un moteur clé de croissance future pour la prochaine décennie.

Alverstone est un circuit 128 Mbits réalisé en technologie 90 nm et conçu pour aider les utilisateurs de mémoires à évaluer les fonctions de la technologie PCM. Les utilisateurs d’applications embarquées et cellulaires peuvent ainsi en savoir plus sur la technologie PCM et comment elle peut être intégrée dans la conception de leurs futurs systèmes.

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