Electronique Mag - Le journal de l'électronique.

Comparé à un boîtier SOT-223 standard, le boîtier SOT- 223-2L de ce nouveau produit est dépourvu de broche centrale. Cette particularité fait passer l’espacement entre les broches drain-grille de 1,386 à plus de 4 millimètres. La ligne de fuite étendue profite aux applications haute tension, telles que les alimentations à découpage (SMPS) ou les circuits de démarrage à correction du facteur de puissance (PFC), car les concepteurs peuvent se passer de coûteux revêtements ou enrobages conformes.

Le point fort du CPC3981Z est son boîtier SOT-223-2L modifié qui permet aux concepteurs d’obtenir la ligne de fuite accrue requise pour les applications haute tension avec un dispositif compact. Grâce à sa ligne de fuite supérieure, le CPC3981Z accroît la robustesse des circuits et permet de réduire les coûts. La tension de blocage nominale de 800 V du CPC3981Z en fait un choix idéal pour les applications industrielles, énergétiques, de télécommunications et d’éclairage LED, dont les suivantes :

 Commutateurs normalement ouverts

 Alimentations

 Circuits de démarrage

 Relais statiques

 Régulateurs de courant

 Sources de courant continu

La distance accrue entre les broches du MOSFET à mode d’appauvrissement simplifie la gestion de l’isolation des alimentations à tension d’entrée élevée et permet d’obtenir des cartes de circuits imprimées compactes.

« Littelfuse est fière de proposer l’une des gammes de MOSFET à mode d’appauvrissement les plus complètes du secteur et le CPC3981Z vient renforcer notre position », se félicite Mark P. Smith, Director of Product Management, Integrated Circuits & MCU chez Littelfuse. « Ce nouvel ajout à notre gamme de MOSFET à mode d’appauvrissement économique proposé dans un nouveau boîtier SOT-223-2L est une excellente solution pour les applications exigeant des plages de tension d’entrée élevées pouvant atteindre 800 V. »

https://www.littelfuse.com/