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Onsemi , leader des technologies d’alimentation et de détection intelligentes, a présenté aujourd’hui « EliteSiC », qui est le nom de sa famille de produits au carbure de silicium (SiC). Cette semaine, la société présentera trois nouveaux membres de cette famille : le MOSFET EliteSiC 1700 V et deux diodes Schottky EliteSiC 1700 V à avalanche - à l’occasion du Consumer Electronics Show (CES) à Las Vegas. Ces nouveaux dispositifs offrent des performances fiables et à haut rendement aux applications d’infrastructure énergétique et de variateurs de vitesse industriels, et démontrent la position de leader d’onsemi dans le domaine des solutions industrielles au carbure de silicium.

Avec ses MOSFET EliteSiC 1700 V (NTH4L028N170M1), onsemi propose des solutions SiC à tension de claquage (BV) élevée, indispensables aux applications industrielles de forte puissance. Les deux diodes Schottky EliteSiC 1700 V de type avalanche (NDSH25170A, NDSH10170A) permettent aux concepteurs d’obtenir un fonctionnement stable à haute tension aux températures élevées, tout en offrant un excellent rendement grâce au SiC.

« En offrant le meilleur rendement de leur catégorie et des pertes énergétiques réduites, ces nouveaux dispositifs EliteSiC 1700 V renforcent les normes élevées de performance et de qualité supérieure des produits de la famille EliteSiC, tout en élargissant encore la profondeur et l’étendue de la gamme EliteSiC d’onsemi, » a déclaré Simon Keeton, Vice-Président Exécutif et Directeur Général du groupe Solutions de puissance d’onsemi. « Grâce à ses capacités de fabrication SiC de bout en bout, onsemi propose la technologie et l’assurance d’approvisionnement nécessaires pour répondre aux besoins des fournisseurs d’infrastructures énergétiques et d’entraînements industriels. »

Les applications d’énergie renouvelable passent sans cesse à des tensions plus élevées, avec par exemple des systèmes PV à bus CC de 1100 V à 1500 V. Pour accompagner ce changement, les clients ont besoin de MOSFET à tension de claquage plus élevée. Le nouveau MOSFET EliteSiC 1700 V offre une plage de Vgs maximale allant de -15 V à +25 V, ce qui en fait un candidat idéal pour les applications de commutation rapide où les tensions de grille grimpent jusqu’à -10 V, assurant ainsi une fiabilité accrue du système.

En conditions de test sous 1200 V et 40 A, le MOSFET EliteSiC 1700 V atteint une charge de grille (Qg) de 200 nC - ce qui est la meilleure valeur du marché par rapport aux dispositifs concurrents équivalents qui sont plus proches des 300 nC. Une faible Qg est essentielle pour obtenir un rendement élevé dans les applications d’énergie renouvelable à commutation rapide et puissance élevée.

Avec une tension de claquage (BV) nominale de 1700 V, les diodes Schottky EliteSiC offrent une marge supérieure entre la tension inverse maximale (VRRM) et la tension crête inverse répétitive de la diode. Ces nouveaux dispositifs offrent également d’excellentes performances en matière de fuite inverse, avec un courant inverse (IR) maximal de seulement 40 µA à 25°C et 100 µA à 175°C, ce qui est nettement meilleur que les dispositifs concurrents qui sont souvent à plus de 100µA dès 25°C.

https://www.onsemi.com/