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Toshiba Electronics Europe GmbH (« Toshiba ») a lancé cinq nouveaux MOSFET 650 V de 3ème génération en carbure de silicium (SiC), destinés aux équipements industriels.

Ces produits polyvalents et à très haut rendement seront utilisés dans de nombreuses applications exigeantes, notamment les alimentations à découpage (SMPS) et les alimentations sans interruption (UPS) pour les serveurs, les centres de données, et les équipements de communication. Ils trouveront également des applications dans le domaine des énergies renouvelables, notamment dans les onduleurs photovoltaïques (PV) et les convertisseurs CC-CC bidirectionnels, tels que ceux servant à la recharge de véhicules électriques (EV).

Les nouveaux TW015N65C, TW027N65C, TW048N65C, TW083N65C et TW107N65C sont basés sur le procédé SiC avancé de 3ème génération de Toshiba, qui optimise les structures des cellules utilisées dans les dispositifs de 2ème génération.

Grâce à ces progrès, le facteur de mérite (FoM) égal au produit de la résistance drain-source à l’état passant (RDS(on)) par la charge grille-drain (Qg), pour représenter les pertes statiques et dynamiques, a été amélioré d’environ 80%. Cela permet de réduire considérablement les pertes, et de développer des solutions d’alimentation avec des densités de puissance plus élevées et des coûts d’exploitation plus faibles.

Comme les dispositifs précédents, ces nouveaux MOSFET de 3ème génération disposent d’une barrière Schottky SiC intégrée à faible tension directe (VF) de -1,35 V (typique), qui supprime les fluctuations de RDS(on), et renforce ainsi la fiabilité.

Ces nouveaux dispositifs supportent des courants (I D ) jusqu'à 100 A, et présentent des valeurs R DS(on) descendant à 15 mΩ. Tous les dispositifs sont logés en boîtier standard industriel TO-247.

Ces nouveaux MOSFET sont livrables dès aujourd’hui.

https://toshiba.semicon-storage.com/