Electronique Mag - Le journal de l'électronique.
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SEMIKRON, dont le siège est à Nuremberg (Allemagne), et la société ROHM Semiconductor, basée à Kyoto (Japon), collaborent depuis plus de dix ans en ce qui concerne la mise en œuvre du carbure de silicium (SiC) à l’intérieur des modules d’alimentation. Récemment, la 4e génération de MOSFET SiC de ROHM, la dernière en date, a été entièrement qualifiée dans les modules eMPack® de SEMIKRON pour l’usage automobile. Par conséquent, les deux sociétés répondent aux besoins des clients du monde entier.
SEMIKRON a annoncé avoir décroché un contrat d’un milliard d’euros pour la fourniture de ses modules de puissance eMPack® innovants à un grand constructeur automobile allemand, à partir de 2025. La société a développé une technologie d’assemblage et de connexion entièrement frittée, nommée « Direct Pressed Die » (DPD). Cela permet d’obtenir des onduleurs de traction extrêmement compacts, évolutifs et fiables. La technologie de modules eMPack® a été spécialement conçue pour les convertisseurs à base de SiC de moyenne et haute puissance afin d’exploiter pleinement les propriétés du nouveau matériau semiconducteur. En outre, SEMIKRON fournit des cartes d’évaluation pour eMPack® qui intègrent les circuits intégrés Gate Driver de ROHM, aidant les clients à raccourcir le temps nécessaire à l’évaluation et à l’adoption. À l’avenir, SEMIKRON prévoit aussi d’utiliser les IGBT de ROHM dans les modules pour les applications industrielles.
« Grâce à la technologie SiC de ROHM, la famille eMPack® novatrice de modules de puissance de SEMIKRON est prête à apporter une contribution significative à la réduction des émissions via l’électromobilité, » dit Karl-Heinz Gaubatz, PDG et directeur technique chez SEMIKRON. « La technologie SiC de ROHM offre davantage d’efficacité, de performances et de fiabilité dans les applications automobiles et industrielles. »
ROHM produit des composants SiC en interne dans un système de fabrication intégré verticalement, fournissant ainsi des produits de haute qualité et économes en énergie tout en obtenant un approvisionnement constant du marché. SiCrystal, la filiale de production de ROHM, située à Nuremberg, prévoit de développer fortement ses capacités de wafers de carbure de silicium et ses ressources humaines, afin de produire plusieurs centaines de milliers de substrats par an.
« Nous sommes ravis que SEMIKRON ait sélectionné ROHM en tant que fournisseur SiC pour l’eMPack® qualifié pour l’automobile. Ce partenariat conduit à une solution compétitive pour l’utilisation d’applications d’onduleurs à l’intérieur des véhicules électriques » déclare Isao Matsumoto, président et PDG de ROHM Co., Ltd. « ROHM propose une large gamme d’appareils SiC, des puces aux boîtiers. Comme la demande de SiC poursuivra sa croissance, ROHM accélérera les investissements et le développement de produits basés sur la technologie que nous avons cultivée en tant que fabricant de premier plan de SiC. En outre, notre société continuera à proposer des solutions et à fournir un support client » poursuit Isao Matsumoto.
ROHM a été un leader dans la technologie et les produits des dispositifs SiC depuis le début de la première production en série au monde de MOSFET SiC. La 4e génération de MOSFET SiC de ROHM, la dernière en date, adoptée par SEMIKRON, fournit une basse résistance à l’état passant avec un temps de résistance aux courts-circuits amélioré. Ces caractéristiques contribuent significativement à étendre la durée de conduite et à miniaturiser les batteries des véhicules électriques lorsqu’elles sont utilisées dans les onduleurs de traction. Ainsi, l’entreprise développe des dispositifs SiC avancés et économes en énergie, réduisant l’impact environnemental.
Les deux sociétés continueront de contribuer aux innovations technologiques automobiles en fournissant des solutions d’alimentation optimales qui répondent aux besoins du marché grâce à la fusion des technologies d’appareils / de contrôle de ROHM et des technologies de modules de SEMIKRON qui peuvent les combiner de manière optimale.
