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Les diodes STPSC806D et STPSC1006D utilisent la technologie de substrat la plus récente pour éliminer les pertes de commutation des alimentations et ainsi améliorer le rendement et réduire les dégagements de chaleur

Les diodes en silicium ordinaires utilisées dans les alimentations à découpage perdent jusqu’à 1 % de leur rendement en ne se bloquant pas immédiatement. STMicroelectronics, l’un des leaders mondiaux dans le domaine des semiconducteurs de puissance, est l’un des premiers fabricants à introduire des diodes en carbure de silicium (SiC) dans le but d’économiser l’énergie habituellement perdue lors de la commutation.

Les diodes Schottky SiC STPSC806D et STPSC1006D sont tout particulièrement utiles dans les convertisseurs qui équipent les systèmes d’énergie solaire, où la moindre fraction de pourcentage de rendement est précieuse. Les alimentations utilisées dans les serveurs et les systèmes de télécommunications opérationnels 24 heures sur 24 bénéficieront également des économies cumulées obtenues à l’aide de cette amélioration apparemment minime du rendement. Ces diodes peuvent aussi être utilisées dans des commandes de moteur déployées en très grandes quantités à travers le monde, économisant ainsi l’impact environnemental de plusieurs milliers de watts d’énergie produite.

De plus, en économisant l’énergie habituellement dissipée sous forme de chaleur par les diodes en silicium, la nouvelle technologie SiC permet aux ingénieurs de miser sur une tenue en courant maximale plus basse pour la diode et ainsi d’utiliser des composants de moindres dimensions sans impact sur la puissance disponible. Dans les applications à forte puissance, il est possible de réduire la taille des radiateurs généralement nécessaires, ce qui permet d’utiliser des alimentations plus compactes délivrant une densité de puissance supérieure.

Autre avantage pour les concepteurs d’alimentations à découpage, les diodes SiC telles que les modèles STPSC806D et STPSC1006D de ST autorisent des fréquences de commutation plus élevées, avec à la clé une réduction des dimensions et du coût d’autres composants tels que des condensateurs de filtrage et des inductances, et une consommation d’énergie en baisse.

La technologie SiC peut offrir ces avantages car aucune charge de recouvrement inverse ne s’accumule au cours de la période de conduction normale de la diode. Lorsqu’une diode bipolaire classique en silicium est bloquée (off), cette charge doit être évacuée par recombinaison entre groupes de porteurs de charge situés à proximité de la jonction de la diode. L’expression « courant de recouvrement inverse » désigne le courant qui circule au cours de cette période de recombinaison. Lorsqu’il est combiné à la tension appliquée aux commutateurs de puissance à semiconducteurs associés, ce courant non désiré dégage de la chaleur qui sera dissipée par les commutateurs. En éliminant cette charge de recouvrement inverse, les diodes Schottky en carbure de silicium affichent des pertes de commutation nettement moins élevées au sein de la carte, conduisant à un rendement en hausse et une dissipation de chaleur en baisse.

Destinées aux applications sous 600 V, les diodes STPSC806D à 8 A et STPSC1006D à 10 A sont immédiatement disponibles en volume en boîtier standard TO-220AC aux prix de respectivement 3,9 et 4,9 dollars par 10.000 pièces.

http://www.st.com